極端紫外線発生用高出力レーザードライバー

メガオプトの全固体レーザー増幅器を用いた平均出力1kWを超えるパルスレーザーを高品質・高効率なビームが得られるMOPA方式により実現しました。

極端紫外線発生用高出力レーザードライバー

極端紫外線発生用高出力レーザードライバー

メガオプトの全固体レーザー増幅器を用いた平均出力1kWを超えるパルスレーザーを高品質・高効率なビームが得られるMOPA方式により実現しました。

QスイッチNd:YAGレーザーによる高繰り返し・高出力レーザードライバー(EUVAプロジェクト)。メガオプトでは自社製の全固体レーザー増幅器を用いた平均出力1kWを超える全固体パルスレーザーを、高品質で高効率なビームが得られるMOPAと呼ばれる方法により実現。次世代露光用光源および露光装置の開発に寄与している。LPP方式(下記参照)における世界最高のEUV出力が得られている(2004年現在)。

次世代露光用光源

現在使用されている半導体露光用光源(ArFレーザー=193nm)を用いた露光系が分解能の限界に近づきつつあり、次の世代では光学材料の関係で波長13.5nmへ 一気に波長が短くなるとされています。これをEUV光と呼んでおり、次期露光用光源の花形と目されています。EUV光の発生方式の1つがLPP(laser produced plasma)というレーザーを用いた方式です。これはXeターゲットに極めて高出力なレーザーを照射してプラズマを生成し、そのプラズマからの遷移輻射によりEUV光を発生させるものです。これが実現するとSiの限界とされる35nmノードまでの微細リソグラフィが光で可能になります。

仕様

型番 EUV1000
発振モード パルス
発振波長 1064nm
縦モード マルチ
平均出力 1kW以上
パルス幅 10ns
繰り返し周波数 10kHz
ビーム径 5mm *1
モード品質:M2 5以下
偏光 直線

※外観・仕様は予告なく変更することがございます。

動作条件

動作電圧・周波数 単相200V、50/60Hz
消費電力 20kW以下
ヘッド寸法 1200×2400×500mm